Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1990, том 310, номер 4, страницы 861–865 (Mi dan50111)  
ФИЗИКА

Наблюдение квазимолекулярного рентгеновского излучения при каналировании $5,7$ МэВ электронов в $\langle110\rangle$ $\mathrm{Si}$-кристалле

Е. И. Розум, С. А. Воробьев, В. В. Каплин

Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете им. С.М. Кирова
PDF полного текста (688 kB)
Статья представлена к публикации: В. И. Гольданский
Поступило: 25.01.1989
Тип публикации: Статья
УДК: 537.533
Образец цитирования: Е. И. Розум, С. А. Воробьев, В. В. Каплин, “Наблюдение квазимолекулярного рентгеновского излучения при каналировании $5,7$ МэВ электронов в $\langle110\rangle$ $\mathrm{Si}$-кристалле”, Докл. АН СССР, 310:4 (1990), 861–865
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RozVorKap90}
\by Е.~И.~Розум, С.~А.~Воробьев, В.~В.~Каплин
\paper Наблюдение квазимолекулярного рентгеновского излучения при каналировании $5,7$ МэВ электронов в $\langle110\rangle$ $\mathrm{Si}$-кристалле
\jour Докл. АН СССР
\yr 1990
\vol 310
\issue 4
\pages 861--865
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan50111}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan50111
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v310/i4/p861
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024