Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1996, том 346, номер 5, страницы 616–618 (Mi dan50005)  
ФИЗИКА

Критический ток в композитах ВТСП + полупроводник с различной концентрацией носителей

М. И. Петров, Д. А. Балаев, К. А. Шайхутдинов, Б. П. Хрусталев, К. С. Александров

Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
PDF полного текста (294 kB)
Поступило: 12.07.1995
Тип публикации: Статья
УДК: 537.612.62
Образец цитирования: М. И. Петров, Д. А. Балаев, К. А. Шайхутдинов, Б. П. Хрусталев, К. С. Александров, “Критический ток в композитах ВТСП + полупроводник с различной концентрацией носителей”, Докл. РАН, 346:5 (1996), 616–618
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PetBalSha96}
\by М.~И.~Петров, Д.~А.~Балаев, К.~А.~Шайхутдинов, Б.~П.~Хрусталев, К.~С.~Александров
\paper Критический ток в композитах ВТСП + полупроводник с различной концентрацией носителей
\jour Докл. РАН
\yr 1996
\vol 346
\issue 5
\pages 616--618
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan50005}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan50005
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v346/i5/p616
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024