Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1987, том 296, номер 5, страницы 1098–1100 (Mi dan48094)  
ФИЗИКА

Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в $\mathrm{Si}$ и $\mathrm{GaAs}$ при пикосекундном возбуждении

А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
PDF полного текста (465 kB)
Поступило: 07.07.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин, “Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в $\mathrm{Si}$ и $\mathrm{GaAs}$ при пикосекундном возбуждении”, Докл. АН СССР, 296:5 (1987), 1098–1100
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BugZakKis87}
\by А.~А.~Бугаев, Б.~П.~Захарченя, Ю.~Б.~Киселев, В.~А.~Лукошкин
\paper Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в $\mathrm{Si}$ и $\mathrm{GaAs}$ при пикосекундном возбуждении
\jour Докл. АН СССР
\yr 1987
\vol 296
\issue 5
\pages 1098--1100
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan48094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan48094
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v296/i5/p1098
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:79
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024