|
Доклады Академии наук, 1986, том 289, номер 4, страницы 872–875
(Mi dan47619)
|
|
|
|
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
О профиле концентрации примеси перед поверхностью растущего кристалла
Е. В. Жариков, Ю. Д. Заварцев, В. В. Лаптев, Ю. С. Привис Институт общей физики АН СССР, г. Москва
Образец цитирования:
Е. В. Жариков, Ю. Д. Заварцев, В. В. Лаптев, Ю. С. Привис, “О профиле концентрации примеси перед поверхностью растущего кристалла”, Докл. АН СССР, 289:4 (1986), 872–875
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/dan47619 https://www.mathnet.ru/rus/dan/v289/i4/p872
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 107 | PDF полного текста: | 32 | Список литературы: | 3 |
|