|
Доклады Академии наук, 1985, том 280, номер 2, страницы 352–356
(Mi dan46864)
|
|
|
|
ФИЗИКА
Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений GaAs, InAs, InP в области температур 7–310 К
Н. Н. Сиротаa, А. А. Сидоровb a Московский гидромелиоративный институт
b Брянский государственный педагогический институт им. И. Г. Петровского
Поступило: 20.04.1984
Образец цитирования:
Н. Н. Сирота, А. А. Сидоров, “Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений GaAs, InAs, InP в области температур 7–310 К”, Докл. АН СССР, 280:2 (1985), 352–356
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/dan46864 https://www.mathnet.ru/rus/dan/v280/i2/p352
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 104 | PDF полного текста: | 37 | Список литературы: | 3 |
|