Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Доклады Академии наук, 1982, том 267, номер 3, страницы 607–610 (Mi dan45763)  

ФИЗИКА

О влиянии плазмохимических процессов образования электроотрицательных молекул на параметры несамостоятельных разрядов

К. С. Клоповский, А. П. Осипов, И. Г. Персианцев, А. Т. Рахимов, Т. В. Рахимова, Н. В. Суетин, М. А. Тимофеев

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Статья представлена к публикации: Е. П. Велихов
Поступило: 04.06.1982
Тип публикации: Статья
УДК: 537.521
Образец цитирования: К. С. Клоповский, А. П. Осипов, И. Г. Персианцев, А. Т. Рахимов, Т. В. Рахимова, Н. В. Суетин, М. А. Тимофеев, “О влиянии плазмохимических процессов образования электроотрицательных молекул на параметры несамостоятельных разрядов”, Докл. АН СССР, 267:3 (1982), 607–610
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KloOsiPer82}
\by К.~С.~Клоповский, А.~П.~Осипов, И.~Г.~Персианцев, А.~Т.~Рахимов, Т.~В.~Рахимова, Н.~В.~Суетин, М.~А.~Тимофеев
\paper О влиянии плазмохимических процессов образования электроотрицательных молекул на параметры несамостоятельных разрядов
\jour Докл. АН СССР
\yr 1982
\vol 267
\issue 3
\pages 607--610
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan45763}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan45763
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v267/i3/p607
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:102
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024