Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1982, том 266, номер 1, страницы 117–119 (Mi dan45568)  
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Новый тип неустойчивости в сегнетоэлектрическом смектике $\widetilde{C}$

З. Б. Раджабоваab, С. П. Чумаковаab, И. Г. Чистяковab

a Физико-технический институт им. С. У. Умарова ТаджССР, г. Душанбе
b Институт кристаллографии АН СССР, г. Москва
PDF полного текста (410 kB)
Статья представлена к публикации: Б. К. Вайнштейн
Поступило: 11.06.1982
Тип публикации: Статья
УДК: 548.0:537.226.4
Образец цитирования: З. Б. Раджабова, С. П. Чумакова, И. Г. Чистяков, “Новый тип неустойчивости в сегнетоэлектрическом смектике $\widetilde{C}$”, Докл. АН СССР, 266:1 (1982), 117–119
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RadChuChi82}
\by З.~Б.~Раджабова, С.~П.~Чумакова, И.~Г.~Чистяков
\paper Новый тип неустойчивости в сегнетоэлектрическом смектике $\widetilde{C}$
\jour Докл. АН СССР
\yr 1982
\vol 266
\issue 1
\pages 117--119
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan45568}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan45568
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v266/i1/p117
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:48
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025