Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1980, том 252, номер 2, страницы 339–343 (Mi dan43596)  
ФИЗИКА

О термофлуктуационном и квантовом зарождении новой фазы в кристаллах (механизм наслаивания дефектов упаковки)

В. А. Поздняков, В. А. Соловьев

Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И. П. Бардина, г. Москва
PDF полного текста (546 kB)
Статья представлена к публикации: Г. В. Курдюмов
Поступило: 03.12.1979
Тип публикации: Статья
УДК: 536.42
Образец цитирования: В. А. Поздняков, В. А. Соловьев, “О термофлуктуационном и квантовом зарождении новой фазы в кристаллах (механизм наслаивания дефектов упаковки)”, Докл. АН СССР, 252:2 (1980), 339–343
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PozSol80}
\by В.~А.~Поздняков, В.~А.~Соловьев
\paper О термофлуктуационном и квантовом зарождении новой фазы в кристаллах (механизм наслаивания дефектов упаковки)
\jour Докл. АН СССР
\yr 1980
\vol 252
\issue 2
\pages 339--343
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan43596}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan43596
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v252/i2/p339
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024