Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1976, том 228, номер 5, страницы 1083–1086 (Mi dan40159)  
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Адсорбционный слой и образование зародышей при кристаллизации в системе $\mathrm{Si}$ – $\mathrm{H}$ – $\mathrm{Cl}$

А. А. Чернов, Н. С. Папков

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР, г. Москва
PDF полного текста (593 kB)
Статья представлена к публикации: Н. В. Белов
Поступило: 03.02.1976
Тип публикации: Статья
УДК: 548.522
Образец цитирования: А. А. Чернов, Н. С. Папков, “Адсорбционный слой и образование зародышей при кристаллизации в системе $\mathrm{Si}$ – $\mathrm{H}$ – $\mathrm{Cl}$”, Докл. АН СССР, 228:5 (1976), 1083–1086
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChePap76}
\by А.~А.~Чернов, Н.~С.~Папков
\paper Адсорбционный слой и образование зародышей при кристаллизации в системе $\mathrm{Si}$ -- $\mathrm{H}$ -- $\mathrm{Cl}$
\jour Докл. АН СССР
\yr 1976
\vol 228
\issue 5
\pages 1083--1086
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan40159}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan40159
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v228/i5/p1083
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025