Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1975, том 220, номер 3, страницы 564–567 (Mi dan38814)  
ФИЗИКА

Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов

О. М. Керимов, А. С. Подсосонный, В. Н. Слесарев, А. С. Чмыхов

Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина АН СССР, Академгородок Московской обл.
PDF полного текста (489 kB)
Статья представлена к публикации: Л. Ф. Верещагин
Поступило: 12.05.1974
Тип публикации: Статья
УДК: 535.376
Образец цитирования: О. М. Керимов, А. С. Подсосонный, В. Н. Слесарев, А. С. Чмыхов, “Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов”, Докл. АН СССР, 220:3 (1975), 564–567
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KerPodSle75}
\by О.~М.~Керимов, А.~С.~Подсосонный, В.~Н.~Слесарев, А.~С.~Чмыхов
\paper Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов
\jour Докл. АН СССР
\yr 1975
\vol 220
\issue 3
\pages 564--567
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan38814}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan38814
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v220/i3/p564
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:113
    PDF полного текста:49
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024