Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1971, том 201, номер 4, страницы 820–822 (Mi dan36517)  
ФИЗИКА

Неустойчивость однородного стационарного состояния полупроводника, обусловленная тепловой деформацией его запретной зоны

П. М. Карагеоргий-Алкалаевab, А. Ю. Лейдерманab

a Ташкентский государственный университет им. В. И. Ленина
b Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева Академии наук УзбССР, г. Ташкент
PDF полного текста (431 kB)
Статья представлена к публикации: Л. А. Арцимович
Поступило: 15.04.1971
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман, “Неустойчивость однородного стационарного состояния полупроводника, обусловленная тепловой деформацией его запретной зоны”, Докл. АН СССР, 201:4 (1971), 820–822
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarLei71}
\by П.~М.~Карагеоргий-Алкалаев, А.~Ю.~Лейдерман
\paper Неустойчивость однородного стационарного состояния полупроводника, обусловленная тепловой
деформацией его запретной зоны
\jour Докл. АН СССР
\yr 1971
\vol 201
\issue 4
\pages 820--822
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan36517}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan36517
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v201/i4/p820
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:53
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024