Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Доклады Академии наук, 1971, том 197, номер 3, страницы 560–563 (Mi dan36073)  

ФИЗИКА

Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью

Г. М. Бартеневab, А. З. Варисовab, В. И. Гольданскийab, М. Н. Плетневab, Е. П. Прокопьевab, А. Д. Цыгановab

a Московский государственный педагогический институт им. В. И. Ленина
b Институт химической физики АН СССР, г. Москва
Поступило: 02.12.1970
Тип публикации: Статья
УДК: 539.189.2
Образец цитирования: Г. М. Бартенев, А. З. Варисов, В. И. Гольданский, М. Н. Плетнев, Е. П. Прокопьев, А. Д. Цыганов, “Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью”, Докл. АН СССР, 197:3 (1971), 560–563
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarBarGol71}
\by Г.~М.~Бартенев, А.~З.~Варисов, В.~И.~Гольданский, М.~Н.~Плетнев, Е.~П.~Прокопьев, А.~Д.~Цыганов
\paper Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью
\jour Докл. АН СССР
\yr 1971
\vol 197
\issue 3
\pages 560--563
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan36073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan36073
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v197/i3/p560
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:152
    PDF полного текста:67
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024