Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1971, том 197, номер 2, страницы 319–322 (Mi dan36055)  
ФИЗИКА

Влияние каналирования на распределение электрически активных атомов бора и фосфора, внедренных в монокристаллы кремния

В. М. Гусев, Н. П. Бушаров, К. Д. Демаков, Ю. Г. Козлов

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова
PDF полного текста (641 kB)
Статья представлена к публикации: Л. А. Арцимович
Поступило: 20.07.1970
Тип публикации: Статья
УДК: 539.2
Образец цитирования: В. М. Гусев, Н. П. Бушаров, К. Д. Демаков, Ю. Г. Козлов, “Влияние каналирования на распределение электрически активных атомов бора и фосфора, внедренных в монокристаллы кремния”, Докл. АН СССР, 197:2 (1971), 319–322
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusBusDem71}
\by В.~М.~Гусев, Н.~П.~Бушаров, К.~Д.~Демаков, Ю.~Г.~Козлов
\paper Влияние каналирования на распределение электрически активных атомов бора и фосфора,
внедренных в монокристаллы кремния
\jour Докл. АН СССР
\yr 1971
\vol 197
\issue 2
\pages 319--322
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan36055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan36055
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v197/i2/p319
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:117
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024