Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1970, том 193, номер 6, страницы 1283–1285 (Mi dan35628)  
ФИЗИКА

Сенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографии

А. Д. Саблин-Яворский, Л. М. Беляев, В. М. Фридкин

Институт кристаллографии АН СССР, г. Москва
PDF полного текста (581 kB)
Статья представлена к публикации: А. В. Шубников
Поступило: 20.01.1970
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Д. Саблин-Яворский, Л. М. Беляев, В. М. Фридкин, “Сенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографии”, Докл. АН СССР, 193:6 (1970), 1283–1285
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SabBelFri70}
\by А.~Д.~Саблин-Яворский, Л.~М.~Беляев, В.~М.~Фридкин
\paper Сенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографии
\jour Докл. АН СССР
\yr 1970
\vol 193
\issue 6
\pages 1283--1285
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan35628}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan35628
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v193/i6/p1283
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024