Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1970, том 192, номер 5, страницы 1015–1018 (Mi dan35473)  
ФИЗИКА

Электропроводность искусственного полупроводникового алмаза

Л. Ф. Верещагин, О. Г. Ревин, В. Н. Слесарев, И. Н. Сейфи-Хусаинов, А. С. Чмыхов

Институт физики высоких давлений АН СССР
PDF полного текста (659 kB)
Поступило: 26.02.1970
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.3
Образец цитирования: Л. Ф. Верещагин, О. Г. Ревин, В. Н. Слесарев, И. Н. Сейфи-Хусаинов, А. С. Чмыхов, “Электропроводность искусственного полупроводникового алмаза”, Докл. АН СССР, 192:5 (1970), 1015–1018
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VerRevSle70}
\by Л.~Ф.~Верещагин, О.~Г.~Ревин, В.~Н.~Слесарев, И.~Н.~Сейфи-Хусаинов, А.~С.~Чмыхов
\paper Электропроводность искусственного полупроводникового алмаза
\jour Докл. АН СССР
\yr 1970
\vol 192
\issue 5
\pages 1015--1018
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan35473}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan35473
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v192/i5/p1015
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024