Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1970, том 190, номер 1, страницы 83–85 (Mi dan35134)  
ФИЗИКА

О некоторых особенностях эффекта Фарадея в сильно легированных полупроводниках

Е. Г. Цицишвили

Институт кибернетики Академии наук ГрузССР, г. Тбилиси
PDF полного текста (317 kB)
Статья представлена к публикации: Н. Н. Боголюбов
Поступило: 06.04.1969
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Г. Цицишвили, “О некоторых особенностях эффекта Фарадея в сильно легированных полупроводниках”, Докл. АН СССР, 190:1 (1970), 83–85
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Tsi70}
\by Е.~Г.~Цицишвили
\paper О некоторых особенностях эффекта Фарадея в сильно легированных полупроводниках
\jour Докл. АН СССР
\yr 1970
\vol 190
\issue 1
\pages 83--85
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan35134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan35134
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v190/i1/p83
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:99
    PDF полного текста:46
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024