Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1969, том 189, номер 5, страницы 976–979 (Mi dan35087)  
ФИЗИКА

Рекомбинационное излучение в полупроводниках при пинч-эффекте в условиях сильного вырождения и электронного и дырочного газов

В. В. Владимиров

Институт физики АН УССР, г. Киев
PDF полного текста (581 kB)
Статья представлена к публикации: М. А. Леонтович
Поступило: 17.04.1969
Тип публикации: Статья
УДК: 537.226
Образец цитирования: В. В. Владимиров, “Рекомбинационное излучение в полупроводниках при пинч-эффекте в условиях сильного вырождения и электронного и дырочного газов”, Докл. АН СССР, 189:5 (1969), 976–979
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Vla69}
\by В.~В.~Владимиров
\paper Рекомбинационное излучение в полупроводниках при пинч-эффекте в условиях сильного вырождения
и электронного и дырочного газов
\jour Докл. АН СССР
\yr 1969
\vol 189
\issue 5
\pages 976--979
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan35087}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan35087
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v189/i5/p976
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:96
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024