Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1968, том 181, номер 1, страницы 46–48 (Mi dan33962)  
ФИЗИКА

Возможный механизм образования сложных радиационных дефектов в кремнии, введенных электронным облучением

С. М. Городецкий, Л. Б. Крейнин

Институт полупроводников Академии наук СССР
PDF полного текста (420 kB)
Статья представлена к публикации: Б. П. Константинов
Поступило: 16.10.1967
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.33:539.124.28
Образец цитирования: С. М. Городецкий, Л. Б. Крейнин, “Возможный механизм образования сложных радиационных дефектов в кремнии, введенных электронным облучением”, Докл. АН СССР, 181:1 (1968), 46–48
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorKre68}
\by С.~М.~Городецкий, Л.~Б.~Крейнин
\paper Возможный механизм образования сложных радиационных дефектов в кремнии, введенных электронным облучением
\jour Докл. АН СССР
\yr 1968
\vol 181
\issue 1
\pages 46--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan33962}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan33962
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v181/i1/p46
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025