Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1966, том 170, номер 4, страницы 819–821 (Mi dan32606)  
ФИЗИКА

Электронный парамагнитный резонанс ионов $\mathrm{Gd}^{3+}$ в халькогенидном стекле $\mathrm{Tl}_2\mathrm{Se}\mathrm{As}_2\mathrm{Se}_3$

И. В. Чепелева, В. Н. Лазукин, С. А. Дембовский

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
PDF полного текста (437 kB)
Статья представлена к публикации: Л. А. Арцимович
Поступило: 30.12.1965
Тип публикации: Статья
УДК: 541.67+161.6:538.113
Образец цитирования: И. В. Чепелева, В. Н. Лазукин, С. А. Дембовский, “Электронный парамагнитный резонанс ионов $\mathrm{Gd}^{3+}$ в халькогенидном стекле $\mathrm{Tl}_2\mathrm{Se}\mathrm{As}_2\mathrm{Se}_3$”, Докл. АН СССР, 170:4 (1966), 819–821
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheLazDem66}
\by И.~В.~Чепелева, В.~Н.~Лазукин, С.~А.~Дембовский
\paper Электронный парамагнитный резонанс ионов $\mathrm{Gd}^{3+}$ в~халькогенидном стекле
$\mathrm{Tl}_2\mathrm{Se}\mathrm{As}_2\mathrm{Se}_3$
\jour Докл. АН СССР
\yr 1966
\vol 170
\issue 4
\pages 819--821
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan32606}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan32606
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v170/i4/p819
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:93
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024