Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1966, том 167, номер 3, страницы 559–561 (Mi dan32177)  
ФИЗИКА

Влияние сильного магнитного поля на рекомбинационное излучение в полупроводниках

И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва
PDF полного текста (396 kB)
Статья представлена к публикации: Д. В. Скобельцын
Поступило: 08.07.1965
Тип публикации: Статья
УДК: 538.615
Образец цитирования: И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “Влияние сильного магнитного поля на рекомбинационное излучение в полупроводниках”, Докл. АН СССР, 167:3 (1966), 559–561
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PolPop66}
\by И.~А.~Полуэктов, Ю.~М.~Попов
\paper Влияние сильного магнитного поля на рекомбинационное излучение в~полупроводниках
\jour Докл. АН СССР
\yr 1966
\vol 167
\issue 3
\pages 559--561
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan32177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan32177
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v167/i3/p559
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024