Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1965, том 165, номер 2, страницы 329–331 (Mi dan31810)  
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Прямой метод исследования электрического микрорельефа кристаллических поверхностей

Г. И. Дистлер, Ю. М. Герасимов, Н. М. Борисова

Институт кристаллографии АН СССР, г. Москва
PDF полного текста (1082 kB)
Статья представлена к публикации: А. В. Шубников
Поступило: 16.03.1965
Тип публикации: Статья
УДК: 620.187
Образец цитирования: Г. И. Дистлер, Ю. М. Герасимов, Н. М. Борисова, “Прямой метод исследования электрического микрорельефа кристаллических поверхностей”, Докл. АН СССР, 165:2 (1965), 329–331
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DisGerBor65}
\by Г.~И.~Дистлер, Ю.~М.~Герасимов, Н.~М.~Борисова
\paper Прямой метод исследования электрического микрорельефа кристаллических поверхностей
\jour Докл. АН СССР
\yr 1965
\vol 165
\issue 2
\pages 329--331
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan31810}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan31810
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v165/i2/p329
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:112
    PDF полного текста:53
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024