Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Доклады Академии наук, 1964, том 156, номер 3, страницы 644–646 (Mi dan29632)  

ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ

О влиянии электрического поля на развитие пористости при взаимной диффузии в щелочногалоидных монокристаллах

Я. Е. Гегузин, В. И. Солунский

Харьковский государственный университет им. А. М. Горького
Статья представлена к публикации: П. А. Ребиндер
Поступило: 08.01.1964
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. Е. Гегузин, В. И. Солунский, “О влиянии электрического поля на развитие пористости при взаимной диффузии в щелочногалоидных монокристаллах”, Докл. АН СССР, 156:3 (1964), 644–646
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GegSol64}
\by Я.~Е.~Гегузин, В.~И.~Солунский
\paper О~влиянии электрического поля на развитие пористости при взаимной диффузии в~щелочногалоидных монокристаллах
\jour Докл. АН СССР
\yr 1964
\vol 156
\issue 3
\pages 644--646
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan29632}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan29632
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v156/i3/p644
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:92
    PDF полного текста:44
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024