Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1964, том 155, номер 6, страница 1293 (Mi dan29497)  
ФИЗИКА

Объяснение насыщения дрейфовой скорости носителей тока в пьезоэлектрических полупроводниках

А. А. Гринберг

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
PDF полного текста (187 kB)
Статья представлена к публикации: Б. П. Константинов
Поступило: 18.11.1963
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Гринберг, “Объяснение насыщения дрейфовой скорости носителей тока в пьезоэлектрических полупроводниках”, Докл. АН СССР, 155:6 (1964), 1293
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gri64}
\by А.~А.~Гринберг
\paper Объяснение насыщения дрейфовой скорости носителей тока в~пьезоэлектрических полупроводниках
\jour Докл. АН СССР
\yr 1964
\vol 155
\issue 6
\pages 1293
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan29497}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan29497
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v155/i6/p1293
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024