Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1962, том 145, номер 1, страницы 67–70 (Mi dan26690)  
ФИЗИКА

Влияние уровней прилипания на кинетику электронных процессов в $p$ – $n$-переходах

Э. И. Адирович, Е. М. Кузнецова

Физико-технический институт Академии наук УзССР
PDF полного текста (530 kB)
Поступило: 10.03.1962
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. И. Адирович, Е. М. Кузнецова, “Влияние уровней прилипания на кинетику электронных процессов в $p$ – $n$-переходах”, Докл. АН СССР, 145:1 (1962), 67–70
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AdiKuz62}
\by Э.~И.~Адирович, Е.~М.~Кузнецова
\paper Влияние уровней прилипания на кинетику электронных процессов в~$p$ -- $n$-переходах
\jour Докл. АН СССР
\yr 1962
\vol 145
\issue 1
\pages 67--70
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan26690}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan26690
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v145/i1/p67
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:109
    PDF полного текста:53
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025