|
МОДЕЛИ В ФИЗИКЕ И ТЕХНОЛОГИИ
Классификация динамических режимов переключения намагниченности в трехслойной ферромагнитной структуре в зависимости от спин-поляризованного тока инжекции и внешнего магнитного поля. II. Перпендикулярная анизотропия
Н. В. Островскаяa, В. А. Скидановab, М. С. Скворцовb a Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН,
Россия, 124365, г. Москва, Зеленоград, ул. Советская, д. 3
b Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники",
Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, д. 1
Аннотация:
В приближении однородной намагниченности построена математическая модель трехслойной ячейки памяти MRAM c осью анизотропии, расположенной перпендикулярно запоминающему ферромагнитному слою ячейки (перпендикулярная анизотропия). Предполагается, что первоначально намагниченность свободного слоя ячейки ориентирована вдоль оси анизотропии и соответствует состоянию «нуль». Одновременное мгновенное включение спин-поляризованного тока и магнитного поля воздействует на намагниченность свободного слоя и может перевести ее в противоположное положение, соответствующее состоянию «единица». Математическое описание эффекта основано на классическом векторном уравнении Ландау-Лифшица с диссипативным членом в форме Гильберта. В нашей модели учтены взаимодействия намагниченности с внешним магнитным полем и эффективными полями анизотропии и размагничивания, а также с током инжекции в форме Слончевского-Берже. Выведена система обыкновенных дифференциальных уравнений, описывающая динамику намагниченности в трехслойной вентильной структуре Co/Cu/Co в зависимости от управляющих параметров: величины тока инжекции и внешнего магнитного поля, параллельного оси анизотропии магнитных слоев. Показано, что при любых токах и полях система имеет два основных состояния равновесия, расположенных на оси, совпадающей с осью анизотропии. Установлено, что в данной системе, в отличие от системы с продольной анизотропией, дополнительные со-стояния равновесия отсутствуют. Проведен анализ устойчивости основных состояний равновесия по первому приближению. Построены бифуркационные диаграммы, характеризующие типы динамики вектора намагниченности свободного слоя. Проведена классификация фазовых портретов на единичной сфере в зависимости от управляющих параметров (тока и поля). Изучены особенности динамики вектора намагниченности в каждой из характерных областей бифуркационной диаграммы и численно, методом Рунге-Кутты, построены траектории переключения. Найдены комбинации управляющих параметров, при которых переключение невозможно. Найдены области существования устойчивых и неустойчивых предельных циклов системы. Аналитически определены значения пороговых токов переключения в зависимости от внешнего магнитного поля. Проведено сравнение значений порогового тока в моделях с продольной и перпендикулярной анизотропией при нулевом магнитном поле и показано, что в модели с перпендикулярной анизотропией ток переключения почти на порядок ниже, чем в модели с продольной анизотропией.
Ключевые слова:
память MRAM, одноосная анизотропия, намагниченность, свободный слой, закрепленный слой, уравнение Ландау-Лифшица-Гильберта, переключение намагниченности.
Поступила в редакцию: 17.05.2016 Принята в печать: 28.07.2016
Образец цитирования:
Н. В. Островская, В. А. Скиданов, М. С. Скворцов, “Классификация динамических режимов переключения намагниченности в трехслойной ферромагнитной структуре в зависимости от спин-поляризованного тока инжекции и внешнего магнитного поля. II. Перпендикулярная анизотропия”, Компьютерные исследования и моделирование, 8:5 (2016), 755–764
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/crm25 https://www.mathnet.ru/rus/crm/v8/i5/p755
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 186 | PDF полного текста: | 81 | Список литературы: | 26 |
|