Компьютерная оптика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Компьютерная оптика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Компьютерная оптика, 2020, том 44, выпуск 4, страницы 653–659
DOI: https://doi.org/10.18287/2412-6179-CO-660 (Mi co832) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ И АНАЛИЗ ДАННЫХ

Распознавание дислокационной структуры эпитаксиальных слоев карбида кремния с использованием нейронной сети

А. В. Брагин, Д. В. Пьянзин, Р. И. Сидоров, Д. А. Скворцов

Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва 430000, Россия, Республика Мордовия, г. Саранск, ул. Большевистская, д. 68
PDF полного текста (1132 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.18287/2412-6179-CO-660
Аннотация: Технологические особенности роста монокристаллов карбида кремния неизбежно создают условия для образования в них дефектов кристаллической структуры. Предложен способ распознавания и анализа дефектной дислокационной структуры монокристаллов карбида кремния на основе применения оптической микроскопии и нейронной сети прямого распространения. Проведена апробация способа на гомоэпитаксиальных слоях карбида кремния $4H$ политипа.
На базе предложенного способа создано программное обеспечение, позволяющее строить карты распределения краевых, винтовых и базисных дислокаций по поверхности монокристаллов карбида кремния. Проведена апробация работы программного обеспечения на цифровых изображениях ростовой поверхности эпитаксиальных слоев карбида кремния. Точность распознавания дислокаций составила 95 %.
Полученная информация о распределении дислокаций применяется при разработке технологических приемов снижения их плотности при выращивании монокристаллов.
Ключевые слова: дефектная структура, дислокации, карбид кремния, распознавание изображений, нейронная сеть.
Поступила в редакцию: 29.10.2019
Принята в печать: 02.03.2020
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Брагин, Д. В. Пьянзин, Р. И. Сидоров, Д. А. Скворцов, “Распознавание дислокационной структуры эпитаксиальных слоев карбида кремния с использованием нейронной сети”, Компьютерная оптика, 44:4 (2020), 653–659
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BraDenSid20}
\by А.~В.~Брагин, Д.~В.~Пьянзин, Р.~И.~Сидоров, Д.~А.~Скворцов
\paper Распознавание дислокационной структуры эпитаксиальных слоев карбида кремния с использованием нейронной сети
\jour Компьютерная оптика
\yr 2020
\vol 44
\issue 4
\pages 653--659
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/co832}
\crossref{https://doi.org/10.18287/2412-6179-CO-660}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/co832
  • https://www.mathnet.ru/rus/co/v44/i4/p653
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Компьютерная оптика
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024