|
ДИФРАКЦИОННАЯ ОПТИКА, ОПТИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ
Влияние слабой инжекции на пространственно-временные неустойчивости в широкоапертурном полупроводниковом лазере с вертикальным резонатором
Е. А. Яруноваab, А. А. Кренцab, Н. Е. Молевичab a Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН
b Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева
Аннотация:
В работе теоретически исследована динамика широкоапертурного полупроводникового поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL) с учетом фактора Генри. Выполнен линейный анализ устойчивости пространственно-однородного режима генерации, и показано, что в таких лазерах развивается модуляционная неустойчивость. Определен минимальный размер апертуры, при которой начинает развиваться неустойчивость оптического поля. Результаты подтверждены численным решением системы дифференциальных уравнений. Показано, что подавление модуляционной неустойчивости может достигаться при инжекции в резонатор внешнего оптического излучения малой амплитуды.
Ключевые слова:
VCSEL, фактор Генри, оптическая инжекция, стабилизация лазеров
Поступила в редакцию: 07.02.2023 Принята в печать: 05.05.2023
Образец цитирования:
Е. А. Ярунова, А. А. Кренц, Н. Е. Молевич, “Влияние слабой инжекции на пространственно-временные неустойчивости в широкоапертурном полупроводниковом лазере с вертикальным резонатором”, Компьютерная оптика, 47:6 (2023), 920–926
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/co1195 https://www.mathnet.ru/rus/co/v47/i6/p920
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 13 | PDF полного текста: | 19 |
|