Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Computational nanotechnology, 2016, выпуск 1, страницы 62–66 (Mi cn64)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

ТЕХНОЛОГИИ МАШИНОСТРОЕНИЯ. ЯДЕРНАЯ ТЕХНИКА. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА

Особенности технологии формирования Si(Li) p-i-n детекторов ядерного излучения больших размеров

Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Ё. К. Тошмуродов, Б. С. Раджапов

Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз
PDF полного текста (274 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: В настоящей работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) детекторов ядерного излучения больших размеров (Ø$\ge$ 60 мм, W=4 мм), когда для формирования необходимой Si(Li) p-i-n структуры используется новый метод проведения процесса дрейфа ионов лития при помощи воздействия импульсного электрического поля.
Ключевые слова: полупроводниковый Si(Li) p-i-n детектор, монокристаллический кремний, диффузия, дрейф, литий, чувствительная область.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Ё. К. Тошмуродов, Б. С. Раджапов, “Особенности технологии формирования Si(Li) p-i-n детекторов ядерного излучения больших размеров”, Comp. nanotechnol., 2016, № 1, 62–66
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MumRadTos16}
\by Р.~А.~Муминов, С.~А.~Раджапов, Ё.~К.~Тошмуродов, Б.~С.~Раджапов
\paper Особенности технологии формирования Si(Li) p-i-n детекторов ядерного излучения больших размеров
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2016
\issue 1
\pages 62--66
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn64}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25821417}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn64
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2016/i1/p62
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:159
    PDF полного текста:65
    Список литературы:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024