Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Computational nanotechnology, 2016, выпуск 1, страницы 40–44 (Mi cn61)  
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Особенности формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

Я. А. Сычикова

Бердянский государственный педагогический университет
PDF полного текста (286 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.
Ключевые слова: полупроводники, электрохимическое травление, кластеры, поры, стохастические системы, когерентные явления.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. А. Сычикова, “Особенности формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5”, Comp. nanotechnol., 2016, № 1, 40–44
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Suc16}
\by Я.~А.~Сычикова
\paper Особенности формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2016
\issue 1
\pages 40--44
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn61}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25821414}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn61
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2016/i1/p40
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Computational nanotechnology
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024