Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»

В работе представлена теоретическая модель формирования области пространственного заряда в принципиально новых контактных структурах, состоящих из полупроводниковой базы и нанесенных на неё нановключений.
Свойства нового типа контакта (и по структуре, и по протяженности) принципиально отличаются от аналогичных контактных структур типа барьеров Шоттки, сплошных $p-n$-переходов и гетеропереходов.
На основе разработанной теоретической модели новой контактной структуры объяснено эффективное фотопреобразование в широком инфракрасном диапазоне солнечного излучения, наблюдаемое в эксперименте.
Показано, что эффективное поглощение инфракрасного излучения становится возможным благодаря удлинению области пространственного заряда, что обеспечивается созданием непосредственно на подложке многих наноразмерных $p-n$-переходов. При этом допускается в качестве подложки использование относительно дешевых материалов.