|
Computational nanotechnology, 2014, выпуск 1, страницы 31–34
(Mi cn5)
|
|
|
|
МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОСИСТЕМ И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Математическое моделирование процесса магнитного перезамыкания в трехмерной магнитной конфигурации с особой точкой высокого порядка
Е. Ю. Ечкина Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет вычислительной математики и кибернетики
Аннотация:
Математическое моделирование процессов в высокотемпературной плазме является важным элементом изучения поведения лабораторной и космической плазмы. Трехмерные нелинейные магнитогидродинамические модели позволяют адекватно описывать такие тонкие и интересные явления, как образование магнитных островов в плазме токамака, возникновение токовых слоев и замков. Эти явления обусловлены перезамыканием магнитных силовых линий, причем пространственные размеры этих объектов составляют нанометры, а соответствующие плазменные образования приобретают новые и неожиданные свойства. В рамках развития нанотехнологий большой интерес представляет моделирование распространения электромагнитных волн в плазменных структурах
Ключевые слова:
магнитное перезамыкание, магнитный остров, структурная устойчивость.
Образец цитирования:
Е. Ю. Ечкина, “Математическое моделирование процесса магнитного перезамыкания в трехмерной магнитной конфигурации с особой точкой высокого порядка”, Comp. nanotechnol., 2014, № 1, 31–34
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn5 https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2014/i1/p31
|
|