Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Computational nanotechnology, 2014, выпуск 1, страницы 31–34 (Mi cn5)  

МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОСИСТЕМ И НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Математическое моделирование процесса магнитного перезамыкания в трехмерной магнитной конфигурации с особой точкой высокого порядка

Е. Ю. Ечкина

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет вычислительной математики и кибернетики
Список литературы:
Аннотация: Математическое моделирование процессов в высокотемпературной плазме является важным элементом изучения поведения лабораторной и космической плазмы. Трехмерные нелинейные магнитогидродинамические модели позволяют адекватно описывать такие тонкие и интересные явления, как образование магнитных островов в плазме токамака, возникновение токовых слоев и замков. Эти явления обусловлены перезамыканием магнитных силовых линий, причем пространственные размеры этих объектов составляют нанометры, а соответствующие плазменные образования приобретают новые и неожиданные свойства. В рамках развития нанотехнологий большой интерес представляет моделирование распространения электромагнитных волн в плазменных структурах
Ключевые слова: магнитное перезамыкание, магнитный остров, структурная устойчивость.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Ю. Ечкина, “Математическое моделирование процесса магнитного перезамыкания в трехмерной магнитной конфигурации с особой точкой высокого порядка”, Comp. nanotechnol., 2014, № 1, 31–34
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ech14}
\by Е.~Ю.~Ечкина
\paper Математическое моделирование процесса магнитного перезамыкания в трехмерной магнитной конфигурации с особой точкой высокого порядка
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2014
\issue 1
\pages 31--34
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn5}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn5
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2014/i1/p31
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Computational nanotechnology
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024