Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Computational nanotechnology, 2023, том 10, выпуск 4, страницы 110–121
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2023-10-4-110-121 (Mi cn453) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ

Electrophysical properties of a solar cell with non-traditional contact structures
[Электрофизические свойства солнечного элемента с нетрадиционными контактными структурами]

M. A. Askarova, E. Z. Imamovb, R. A. Muminovc

a Karakalpak State University named after Berdakh of the Ministry of Higher and Secondary Specialized Education of the Republic of Uzbekistan
b Tashkent University of Information Technologies named after Muhammad al-Khwarizmi (TUIT) of the Ministry for Development of Information Technologies and Communications of the Republic of Uzbekistan
c Physical-Technical Institute of the SPA “Physics-Sun” of the Academy of Science of Uzbekistan
PDF полного текста (5180 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2023-10-4-110-121
Аннотация: Подробно на основе ряда экспериментальных и запатентованных работ обоснована конкурентная эффективность солнечного элемента с нетрадиционными контактными структурами. Показано, что эффективность солнечного элемента зависит от инновационного выбора его контактирующих материалов (нано размерный кристаллический халкогенид свинца и бесструктурный некристаллический кремний). Рассмотрены специфические электрофизические свойства PbX и Si, обеспечивающие значительное улучшение преобразующих свойств солнечного элемента. Представлен специфический механизм формирования контактного поля за счет участия носителей тока с локализованных дефектных энергетических состояний запрещенной зоны кремния. Решением уравнения Пуассона проведен расчет параметров контактного поля нано-гетероперехода <Si:PbХ>.
Ключевые слова: бесструктурный некристаллический кремний, нанокристаллический халкогенид свинца, нано-гетеропереход, локализованные дефектные энергетические состояния.
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Язык публикации: русский и английский
Образец цитирования: M. A. Askarov, E. Z. Imamov, R. A. Muminov, “Electrophysical properties of a solar cell with non-traditional contact structures”, Comp. nanotechnol., 10:4 (2023), 110–121
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AskImaMum23}
\by M.~A.~Askarov, E.~Z.~Imamov, R.~A.~Muminov
\paper Electrophysical properties of a solar cell with non-traditional contact structures
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2023
\vol 10
\issue 4
\pages 110--121
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn453}
\crossref{https://doi.org/10.33693/2313-223X-2023-10-4-110-121}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn453
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/v10/i4/p110
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:4
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024