|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ
Модели масштабирования электрических свойств фото- и бета-преобразователей с наногетеропереходами
М. В. Долгополовab, М. В. Елисовa, С. А. Раджаповc, А. С. Чипураb a Самарский государственный технический университет
b Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва
c Физико-технический институт
Научно-производственного объединения «Физика-Солнце»
Академии наук Республики Узбекистан
Аннотация:
Предложена методология и рассмотрено компьютерное моделирование масштабирования электрических свойств наночипов-генераторов полупроводникового преобразователя энергии на основе наноразмерных контактных гетеропереходов для обеспечения максимальной мощности. Вариант оптимизации решения масштабирования представляется соединением наногетеропереходов с увеличением плотности тока неравновесных носителей и напряжения холостого хода. Представлена обобщенная эквивалентная схема для различных вариаций внутренних свойств и идентификации экспериментальных данных. Проанализировано влияние вида масштабирования и параметров моделей.
Ключевые слова:
масштабирование, наногетеропереход, вольтамперная характеристика, полупроводниковый преобразователь, математическое моделирование, гетероструктуры карбида кремния, легирование, энергоэффективность, полупроводниковые микрогенераторы ионизационных токов и напряжений, зарядовое точечное дефектообразование, эквивалентная схема.
Образец цитирования:
М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, А. С. Чипура, “Модели масштабирования электрических свойств фото- и бета-преобразователей с наногетеропереходами”, Comp. nanotechnol., 10:1 (2023), 138–146
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn419 https://www.mathnet.ru/rus/cn/v10/i1/p138
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 488 | PDF полного текста: | 41 |
|