Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Computational nanotechnology, 2023, том 10, выпуск 1, страницы 138–146
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2023-10-1-138-146 (Mi cn419) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ

Модели масштабирования электрических свойств фото- и бета-преобразователей с наногетеропереходами

М. В. Долгополовab, М. В. Елисовa, С. А. Раджаповc, А. С. Чипураb

a Самарский государственный технический университет
b Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва
c Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
PDF полного текста (607 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2023-10-1-138-146
Аннотация: Предложена методология и рассмотрено компьютерное моделирование масштабирования электрических свойств наночипов-генераторов полупроводникового преобразователя энергии на основе наноразмерных контактных гетеропереходов для обеспечения максимальной мощности. Вариант оптимизации решения масштабирования представляется соединением наногетеропереходов с увеличением плотности тока неравновесных носителей и напряжения холостого хода. Представлена обобщенная эквивалентная схема для различных вариаций внутренних свойств и идентификации экспериментальных данных. Проанализировано влияние вида масштабирования и параметров моделей.
Ключевые слова: масштабирование, наногетеропереход, вольтамперная характеристика, полупроводниковый преобразователь, математическое моделирование, гетероструктуры карбида кремния, легирование, энергоэффективность, полупроводниковые микрогенераторы ионизационных токов и напряжений, зарядовое точечное дефектообразование, эквивалентная схема.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, А. С. Чипура, “Модели масштабирования электрических свойств фото- и бета-преобразователей с наногетеропереходами”, Comp. nanotechnol., 10:1 (2023), 138–146
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DolEliRad23}
\by М.~В.~Долгополов, М.~В.~Елисов, С.~А.~Раджапов, А.~С.~Чипура
\paper Модели масштабирования электрических свойств фото- и бета-преобразователей с наногетеропереходами
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2023
\vol 10
\issue 1
\pages 138--146
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn419}
\crossref{https://doi.org/10.33693/2313-223X-2023-10-1-138-146}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn419
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/v10/i1/p138
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:464
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024