Исследование тонких пленок MgAl$_{2}$O$_{4}$, осажденных на Si-подложки методом вакуумного термического испарения

В статье приведены данные исследования рентгеноструктурных и микроструктурных характеристик тонких пленок алюмомагниевой шпинели MgAl$_{2}$O$_{4}$, нанесенных на Si подложки методом вакуумного термического испарения. Пленки MgAl$_{2}$O$_{4}$ имеют поликристаллическую ромбическую структуру. Рассчитаны значения параметров элементарной ячейки MgAl$_{2}$O$_{4}$. С помощью сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии показано, что пленки MgAl$_{2}$O$_{4}$ имеют плотно упакованную, без трещин структуру. Физические характеристики и хорошая адгезия тонких пленок MgAl$_{2}$O$_{4}$ к кремниевым подложкам указывает на их возможность использования в приборах опто- и микроэлектроники.