|
ПИСЬМА В РЕДАКЦИЮ
Математическое моделирование диффузионного процесса полупроводникового детектора
Р. А. Муминовa, Ё. К. Тошмуродовb, Г. Ж. Эргашевa, М. О. Явкочдиевb a Институт материаловедения Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
b Каршинский филиал Ташкентского института инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства
Аннотация:
В статье рассмотрено математическое моделирование технологического процесса дрейфа координатно-чувствительных детекторов на основе кремния с ядерным излучением, размер датчика которого составляет $50 \times 50 \times 1,5$ мм и $8$ полос, и проведено сравнение между ними.
Ключевые слова:
диффузия, дрейф, поверхностная концентрация, диффузия, активация, энергия.
Поступила в редакцию: 15.11.2020
Образец цитирования:
Р. А. Муминов, Ё. К. Тошмуродов, Г. Ж. Эргашев, М. О. Явкочдиев, “Математическое моделирование диффузионного процесса полупроводникового детектора”, Comp. nanotechnol., 7:4 (2020), 68–71
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn322 https://www.mathnet.ru/rus/cn/v7/i4/p68
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 77 | PDF полного текста: | 14 | Список литературы: | 1 |
|