Исследование зависимости вольтамперной характеристики $p$-Si-$n$-(Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$-структур от температуры

Показана возможность выращивания твердого раствора (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Вольтамперная характеристика гетероструктур при комнатной температуре имеет три участка: омический — $I\sim V$, экспоненциальный — $I\sim exp(qV/ckT)$, и кубическую зависимость — $I\sim V^{3}$, которая с ростом температуры сменяется более слабыми зависимостями — $I\sim V^{2,8}$, $I\sim V^{2,5}$ и $I\sim V^{2,3}$ при температурах $360$, $390$ и $420$ К, соответственно. Экспериментальные результаты объясняются на основе теоретических представлений о сложном характере рекомбинационных процессов в таких материалах.