|
Computational nanotechnology, 2014, выпуск 1, страницы 11–16
(Mi cn2)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОСИСТЕМ И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
На пути к моделированию больших наносистем на атомном уровне
В. Г. Заводинскийa, О. А. Горкушаb a Институт материаловедения Хабаровского научного центра Дальневосточного отделения Российской Академии Наук
b Институт прикладной математики ДВО РАН
Аннотация:
Показано, что вариационный принцип может быть использован как практический путь для нахождения электронной плотности и полной энергии в рамках теории функционала плотности без решения уравнений Кона-Шэма (так называемый безорбитальный подход). На примерах димеров Na$_2$, Al$_2$, Si$_2$, P$_2$, K$_2$, Ga$_2$, Ge$_2$ и As$_2$ найдены равновесные межатомные расстояния и энергии связи в хорошем согласии с опубликованными данными. Результаты, полученные для смешанных димеров Si-Al, Si-P, and Al-P, близки к результатам, получаемым по методу Кона-Шэма.
Ключевые слова:
моделирование, функционал плотности, безорбитальный подход, димеры.
Образец цитирования:
В. Г. Заводинский, О. А. Горкуша, “На пути к моделированию больших наносистем на атомном уровне”, Comp. nanotechnol., 2014, № 1, 11–16
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn2 https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2014/i1/p11
|
|