Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Computational nanotechnology, 2017, выпуск 1, страницы 50–51 (Mi cn109)  
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Свойства $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетерофотопреобразователей с голографическим концентратором

М. А. Абдукадыровa, З. Т. Азаматовb, Н. А. Ахмедоваa, А. С. Ганиевa, Р. А. Муминовc

a Ташкентский университет информационных технологий
b Ташкентский Государственный Технический университет
c Физико-Технический Институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
PDF полного текста (223 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Изучены фотоэлектрические процессы в $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетероструктурных солнечных элементах со спектральной чувствительностью в диапазоне $450\leq\lambda\leq850$ нм при освещении голографическим концентратором. Показано, что с ростом концентрации солнечного потока до $10$ крат при линейном росте тока короткого замыкания напряжение холостого хода и коэффициент полезного действия достигает своего максимального значения.
Ключевые слова: солнечный элемент, полупроводник, арсенид галлия, спектральный диапазон, ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, голографический концентратор.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Абдукадыров, З. Т. Азаматов, Н. А. Ахмедова, А. С. Ганиев, Р. А. Муминов, “Свойства $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетерофотопреобразователей с голографическим концентратором”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 50–51
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbdAzaAxm17}
\by М.~А.~Абдукадыров, З.~Т.~Азаматов, Н.~А.~Ахмедова, А.~С.~Ганиев, Р.~А.~Муминов
\paper Свойства $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетерофотопреобразователей с голографическим концентратором
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2017
\issue 1
\pages 50--51
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn109}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28921531}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn109
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2017/i1/p50
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:122
    PDF полного текста:47
    Список литературы:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024