Устойчивость атомной структуры наносистемы при молекулярном переключении

В статье разрабатывается математическая модель фазового перехода из аморфного слабопроводящего состояния в кристаллического проводящее состояние. Исследование проводится методом квантовой молекулярной динамики. Проводится анализ структуры полупроводника, и оцениваются изменения проводимости и удельной теплоемкости при фазовом переходе. Найденный процесс моделируется с помощью модели сплошной среды с джоулевым источником нагрева. Изучается устойчивость решения нелинейной задачи теплопроводности в условиях, когда вольт-амперные характеристики находятся в области отрицательной дифференциальной проводимости. Обсуждаются особенности работы устройств памяти на фазовых переходах, связанные с неустойчивостью молекулярной системы.