Buletinul Academiei de Ştiinţe a Republicii Moldova. Matematica
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Bul. Acad. Ştiinţe Repub. Mold. Mat.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Buletinul Academiei de Ştiinţe a Republicii Moldova. Matematica, 2017, номер 1, страницы 51–56 (Mi basm442)  

Solvability of the boundary value problem for the equation of transition processes in semiconductors with a fractional time derivative

Dmitriy M. Gordievskikh

Shadrinsk State Pedagogical University, K. Liebknecht Str., 3, Shadrinsk, Kurgan region, Russia
Список литературы:
Аннотация: Necessary and sufficient conditions are established for the unique solvability of the initial boundary value problem for the equation describing the transition processes in semiconductors. The method of studying is the reducing to the Cauchy problem for a degenerate evolution equation of fractional order in a Banach space. Using the functional calculus in the Banach algebra of bounded linear operators a form of the considered problem solution is performed.
Ключевые слова и фразы: transition processes in semiconductors, fractional differential equation, caputo derivative, degenerate evolution equation, initial boundary value problem.
Поступила в редакцию: 01.09.2016
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
MSC: 39A45
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Dmitriy M. Gordievskikh, “Solvability of the boundary value problem for the equation of transition processes in semiconductors with a fractional time derivative”, Bul. Acad. Ştiinţe Repub. Mold. Mat., 2017, no. 1, 51–56
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gor17}
\by Dmitriy~M.~Gordievskikh
\paper Solvability of the boundary value problem for the equation of transition processes in semiconductors with a~fractional time derivative
\jour Bul. Acad. \c Stiin\c te Repub. Mold. Mat.
\yr 2017
\issue 1
\pages 51--56
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/basm442}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=3683510}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/basm442
  • https://www.mathnet.ru/rus/basm/y2017/i1/p51
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Buletinul Academiei de Ştiinţe a Republicii Moldova. Matematica
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:132
    PDF полного текста:26
    Список литературы:31
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024