|
Автоматика и телемеханика, 1997, выпуск 1, страницы 3–46
(Mi at2437)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Обзоры
Гальваномагнитные датчики. Состояние и перспективы развития
М. А. Розенблат Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, г. Москва
Аннотация:
Рассматриваются физические основы и принципы построения магнитных датчиков электрических, магнитных, механических и других физических величин на основе различных гальваномагнитных эффектов, наблюдаемых как в полупроводниках, так и в любых проводниках. Основное внимание уделяется рассмотрению современного состояния гальваномагнитных датчиков, тенденций и перспектив их дальнейшего развития и практического применения, в том числе на основе новых материалов, технологий, схемотехнических решений и физических эффектов. В этой связи подробно рассмотрены полупроводниковые магниточувствительные интегральные схемы, в которых чувствительные элементы датчика и их электронное обрамление, часто выполняющие некоторые интеллектуальные функции, изготовляются в едином технологическом процессе. Из числа новых физических эффектов, наиболее перспективных для дальнейшего развития и применения гальваномагнитных датчиков, подробно рассматриваются гигантский магниторезистивный эффект в тонких магнитных пленках и спинвентильный эффект.
Поступила в редакцию: 26.10.1995
Образец цитирования:
М. А. Розенблат, “Гальваномагнитные датчики. Состояние и перспективы развития”, Автомат. и телемех., 1997, № 1, 3–46
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/at2437 https://www.mathnet.ru/rus/at/y1997/i1/p3
|
|