|
Автоматика и телемеханика, 2002, выпуск 5, страницы 171–183
(Mi at2086)
|
|
|
|
Технические средства в управлении
Магниторезистивные структуры для искусственного нейрона
С. И. Касаткин Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, г. Москва
Аннотация:
Рассматриваются принципы действия, структуры и теоретические характеристики искусственного нейрона без активирующей функции, состоящего из последовательно включенных запоминающих элементов на основе многослойных тонкопленочных анизотропных, спин-вентильных (spin-valve) и спин-туннельных (spin-tunneling) магниторезистивных структур. Приведены примеры подобных нейронов на основе вышеприведенных запоминающих элементов с оптимальными параметрами. Проведена оценка перспективности каждого из трех типов нейрона.
Образец цитирования:
С. И. Касаткин, “Магниторезистивные структуры для искусственного нейрона”, Автомат. и телемех., 2002, № 5, 171–183; Autom. Remote Control, 63:5 (2002), 850–860
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/at2086 https://www.mathnet.ru/rus/at/y2002/i5/p171
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 132 | PDF полного текста: | 47 | Первая страница: | 2 |
|