Автоматика и телемеханика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Автомат. и телемех.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Автоматика и телемеханика, 1965, том 26, выпуск 2, страницы 326–332 (Mi at11298)  

Влияние формы тонкопленочного магнитного элемента на величину поля записи в запоминающей матрице

В. В. Китович

Москва
Аннотация: Рассматривается зависимость угла разброса направлений легкого намагничивания, величины эффективного поля анизотропии и поля записи от формы тонкопленочных запоминающих элементов матрицы. Приводятся результаты вычислений разброса направлений легкого намагничивания и эффективного поля анизотропии для запоминающих элементов различной формы.

Поступила в редакцию: 21.03.1963
Тип публикации: Статья
УДК: 681.142.652
Образец цитирования: В. В. Китович, “Влияние формы тонкопленочного магнитного элемента на величину поля записи в запоминающей матрице”, Автомат. и телемех., 26:2 (1965), 326–332
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by В.~В.~Китович
\paper Влияние формы тонкопленочного магнитного элемента на величину поля записи в~запоминающей матрице
\jour Автомат. и телемех.
\yr 1965
\vol 26
\issue 2
\pages 326--332
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/at11298}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/at11298
  • https://www.mathnet.ru/rus/at/v26/i2/p326
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Автоматика и телемеханика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:82
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024