4 citations to https://www.mathnet.ru/rus/cn419
  1. М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, И. Р. Рахманкулов, А. С. Чипура, “Моделирование полупроводниковых гетероструктур для преобразователей энергии и датчиков”, Вестн. СамУ. Естественнонаучн. сер., 30:1 (2024), 64–81  mathnet  crossref
  2. М. В. Долгополов, А. С. Чипура, “Моделирование бетавольтаического элемента на наногетеропереходах GaN и GaP на подложках Si и 3С-SiC/Si”, Вестн. СамУ. Естественнонаучн. сер., 29:4 (2023), 133–142  mathnet  crossref
  3. М. В. Елисов, “Самоорганизационная динамика концентрации носителей зарядов в полупроводниках при их инжекции”, Известия вузов. ПНД, 31:5 (2023), 622–627  mathnet  crossref
  4. V. Gurskaya, M. V. Dolgopolov, M. V. Elisov, V. V. Radenko, S. A. Radzhapov, “Combined Scaling of Nanochip Generators for Betavoltaics”, Phys. Part. Nuclei Lett., 20:5 (2023), 1088  crossref