|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
1. |
Е. С. Крупников, Г. И. Абуталыбов, “Фазовые переходы в слоистом кристалле TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 34:9 (1992), 2964–2966 |
2. |
Г. И. Абуталыбов, С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Э. И. Мехтиев, “Взаимодействие ультраузких линий излучения с оптическими и акустическими фононами в кристалле TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1711–1712 |
3. |
А. Г. Кязым-заде, Г. И. Абуталыбов, С. А. Джахангирова, “Лазерная спектроскопия примесных и экситонных состояний
в полупроводниках”, ЖТФ, 62:5 (1992), 169–171 |
4. |
Г. И. Абуталыбов, С. 3. Джафарова, Н. А. Рагимова, Э. И. Мехтиев, “Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы
в квазидвумерных кристаллах TlGaS$_{2}$ : Nd$_{2}$S$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1643–1645 |
5. |
Г. И. Абуталыбов, Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Э. И. Мехтиев, “О влиянии давления и температуры
на экситонные линии кристалла
TlGaS$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 18:9 (1992), 35–39 |
|
1991 |
6. |
С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Г. И. Абуталыбов, Б. А. Натиг, “Спектроскопия внутрицентровых переходов и экситонов кристалла TlGaS$_{2}{-}$Nd$_{2}$S$_{3}$”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 725–729 |
7. |
С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Г. И. Абуталыбов, А. М. Гусейнов, А. Ш. Абдинов, “Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 983–989 |
8. |
Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Г. И. Абуталыбов, “К вопросу о влиянии соединений РЗЭ на оптический спектр экситонов
в кристаллах InSe”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 10–13 |
9. |
Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Г. И. Абуталыбов, “Экситоны в кристаллах InSe, активированных селенидами Но и Dy”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 844–845 [N. A. Ragimova, S. Z. Dzhafarova, G. I. Abutalybov, “Excitons in InSe crystals activated with Ho and Dy selenides”, Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 763–764 ] |
|
1989 |
10. |
Г. И. Абуталыбов, Л. С. Ларионкина, Н. А. Рагимова, “Экситоны в поглощении и фотопроводимости монокристалла TlGaSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 312–313 |
|
1987 |
11. |
Г. И. Абуталыбов, В. Ф. Агекян, С. В. Погарев, Э. Ю. Салаев, “Спектроскопия кристаллов TiGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 29:5 (1987), 1436–1440 |
|
1986 |
12. |
Э. Ю. Салаев, Г. И. Абуталыбов, В. Ф. Агекян, “Влияние магнитного поля на фотолюминесценцию кристаллов $\mathrm{TlGaS}_2$”, Докл. АН СССР, 287:2 (1986), 334–337 |
13. |
Г. И. Абуталыбов, Э. Ю. Салаев, “Спектры поглощения и отражения кристалла TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2201–2203 |
14. |
Г. И. Абуталыбов, Ю. В. Илисавский, В. Л. Окулов, “Акустоэлектронное взаимодействие и пьезоэффект в $\varepsilon$-GaSe”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1580–1583 |
15. |
Г. И. Абуталыбов, И. К. Нейманзаде, Б. С. Разбирин, Э. Ю. Салаев, А. Н. Старухин, “Люминесценция и спектр краевого поглощения монокристалла
TlGaSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1699–1701 |
|
1985 |
16. |
Г. И. Абуталыбов, И. Х. Акопян, И. К. Нейманзаде, Б. В. Новиков, Э. Ю. Салаев, “Экситонные спектры монокристаллов TlGaSe$_{2}$ и их поведение при фазовых превращениях”, Физика твердого тела, 27:9 (1985), 2836–2839 |
17. |
Г. И. Абуталыбов, В. Ф. Агекян, А. А. Алиев, Э. Ю. Салаев, Ю. А. Степанов, “Люминесценция связанных экситонов в полупроводнике
TlGaS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 351–353 |
|
1984 |
18. |
Г. И. Абуталыбов, A. A. Алиев, Л. С. Ларионкина, И. К. Нейманзаде, Э. Ю. Салаев, “Фотолюминесценция монокристалла TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 26:4 (1984), 1221–1223 |
19. |
Г. И. Абуталыбов, A. A. Алиев, Л. С. Ларионкина, И. К. Нейман-заде, Э. Ю. Салаев, “Спектры отражения монокристалла TiInS$_{2}$”, Физика твердого тела, 26:3 (1984), 846–848 |
|