|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1993 |
| 1. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, В. Н. Николаев, “Определение энергии активации процесса деградации InGaAsP- гетеролазеров на λ = 1.55 мкм”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 837–838  [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, V. N. Nikolaev, “Determining the activation energy of the degradation of InGaAsP heterojunction lasers at λ = 1.55 μm”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 725  ] |
| 2. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, В. Н. Николаев, “Изменение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,55 мкм) при старении и облучении”, Квантовая электроника, 20:1 (1993), 45–46 [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, V. N. Nikolaev, “Changes in the threshold current of an InGaAsP heterojunction laser (λ = 1.55 μm) due to aging and irradiation”, Quantum Electron., 23:1 (1993), 38–39 ] |
|
1991 |
| 3. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, “Ресурсные исследования мощных непрерывных гетеролазеров”, Квантовая электроника, 18:5 (1991), 585–587 [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, “Investigation of the service life of high-power cw heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 21:5 (1991), 531–533 ] |
| 4. |
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, “Увеличение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров в процессе старения при повышенной температуре”, Квантовая электроника, 18:2 (1991), 175–176 [R. I. Andreeva, A. A. Kochetkov, “Increase of the threshold current of InGaAsP heterolasers during aging at elevated temperatures”, Sov J Quantum Electron, 21:2 (1991), 155–156 ] |
|
Обратная связь: