|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. В. Дунаевский, А. А. Ломако, Ю. А. Креснин, О. Н. Моргун, В. В. Черный, “Генерация характистического (K$_{\alpha}$) рентгеновского излучения
при воздействии СРЭП на мишени в азимутальном магнитном поле”, Письма в ЖТФ, 18:16 (1992), 83–85   |
|
1991 |
| 2. |
М. И. Страшникова, В. В. Черный, “Особенности температурной зависимости константы затухания 1$A$-экситонов в кристалле CdS”, Физика твердого тела, 33:4 (1991), 1134–1143 |
| 3. |
Ю. А. Бумай, В. А. Вилькоцкий, А. Ф. Мозгунов, А. Г. Ульяшин, В. В. Черный, И. А. Шакин, Н. В. Шлопак, “Влияние обработки в водородной плазме на свойства полевых
транзисторов на основе арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 17:11 (1991), 14–17 |
|
1990 |
| 4. |
М. И. Страшникова, В. В. Черный, “Дисперсия показателя преломления и затухание светоэкситонов в области $1B$-резонанса в кристалле CdS”, Физика твердого тела, 32:4 (1990), 1090–1096 |
|
1987 |
| 5. |
М. В. Лебедев, М. И. Страшникова, В. Б. Тимофеев, В. В. Черный, “Температурная зависимость дисперсии добавочных световых волн в CdS”, Физика твердого тела, 29:7 (1987), 1948–1954 |
| 6. |
В. Н. Кавчук, А. Н. Кондратенко, В. В. Черный, “Расчет параметров электрического импульса, формируемого в активной
нагрузке системой индуктивный накопитель–плазменный эрозийный коммутатор”, ЖТФ, 57:10 (1987), 1904–1909 |
|
1986 |
| 7. |
В. В. Черный, А. Ю. Кропотов, “О предельных плотностях тока пинчующихся электронных пучков”, Письма в ЖТФ, 12:22 (1986), 1396–1399 |
| 8. |
А. Ю. Кропотов, В. И. Кучеров, С. Э. Магарам, В. В. Черный, “О стратификации анодной плазмы в сильноточном диоде с пинчеванием тока”, Письма в ЖТФ, 12:14 (1986), 866–870 |
|
1984 |
| 9. |
М. И. Страшникова, А. В. Комаров, В. Я. Резниченко, В. В. Черный, В. Г. Абрамишвили, “Антирезонансное $S{-}P$-взаимодействие в возбужденных состояниях экситонов CdS”, Физика твердого тела, 26:12 (1984), 3594–3602 |
|
1983 |
| 10. |
П. Г. Елисеев, Г. А. Журавлев, В. В. Черный, “Критические размеры лазерной композиционной зарощенной полосковой
гетероструктуры прямоугольного сечения”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1391–1393 |
|
1980 |
| 11. |
В. И. Кучеров, П. Б. Руткевич, В. В. Черный, “О методе вычисления предельного тока релятивистских электронных пучков”, Прикл. мех. техн. физ., 21:4 (1980), 10–15 ; V. I. Kucherov, P. B. Rutkevich, V. V. Chernyǐ, “Calculation of limiting current of relativistic electron beams”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 21:4 (1980), 440–444 |
|
1979 |
| 12. |
А. А. Борщ, М. С. Бродин, Н. Н. Крупа, Л. В. Тараненко, В. В. Черный, “О механизме объемных разрушений полупроводников типа CdS при лазерном возбуждении”, Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1105–1109 [A. A. Borshch, M. S. Brodin, N. N. Krupa, L. V. Taranenko, V. V. Chernyǐ, “Mechanism of bulk laser damage to CdS-type semiconductors”, Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 653–655] |
|
Обратная связь: