|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. А. Бугаев, А. Л. Станкевич, “Двухфотонное поглощение полупроводниковых микрокристаллов с размерным ограничением”, Физика твердого тела, 34:5 (1992), 1613–1619   |
2
|
| 2. |
А. А. Бугаев, Е. В. Калашников, М. Ю. Кантор, А. Л. Станкевич, “Лазерное испарение металлов при критической температуре”, Физика твердого тела, 34:3 (1992), 801–805 |
|
1990 |
| 3. |
А. А. Бугаев, “Спектроскопия нелинейного отклика GaAs, индуцированного генерацией свободных носителей”, Физика твердого тела, 32:12 (1990), 3470–3474 |
| 4. |
А. А. Бугаев, Т. Ю. Дунаева, А. Л. Станкевич, “Интерференционная пикосекундная диагностика плазменно-индуцированного показателя преломления GaAs”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2689–2693 |
|
1989 |
| 5. |
А. А. Бугаев, Т. Ю. Дунаева, В. А. Лукошкин, “Влияние нелинейной рефракции поглощения свободных носителей и многократного отражения на определение коэффициента двухфотонного поглощения в арсениде галлия”, Физика твердого тела, 31:12 (1989), 9–14 |
|
1988 |
| 6. |
А. М. Кондырев, А. А. Бугаев, С. Б. Еронько, А. Чмель, “Накопительный эффект при оптическом разрушении прозрачных диэлектриков”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1868–1870 |
| 7. |
А. А. Бугаев, А. Б. Ваньков, Т. Ю. Дунаева, “Пикосекундная голографическая диагностика поглощения светового импульса в объеме кремния”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 775–779 |
|
1987 |
| 8. |
А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин, “Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в $\mathrm{Si}$ и $\mathrm{GaAs}$ при пикосекундном возбуждении”, Докл. АН СССР, 296:5 (1987), 1098–1100 |
| 9. |
А. А. Бугаев, А. Б. Ваньков, В. А. Лукошкин, “Наносекундная голографическая интерферометрия электронно-дырочной плазмы в кремнии”, Физика твердого тела, 29:9 (1987), 2710–2713 |
| 10. |
А. А. Бугаев, А. Б. Ваньков, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин, И. Эрредиа, “Самодифракция импульса накачки в условиях наведенного поглощения”, Физика твердого тела, 29:7 (1987), 1959–1962 |
| 11. |
А. А. Бугаев, А. Б. Ваньков, Б. П. Захарченя, “Топографическая диагностика амплитудно-фазовых искажений импульса накачки в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 13:7 (1987), 404–409 |
|
1986 |
| 12. |
А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, М. Г. Иванов, И. А. Меркулов, “Образование ячеистых структур на поверхности кремния при пикосекундном световом воздействии”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1484–1488 |
| 13. |
А. А. Бугаев, “Характер плавления кремния при облучении пикосекундными импульсами”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1246–1248 |
| 14. |
А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин, “Влияние спекл-структуры поля
накачки пикосекундного импульса
на величину наведенного поглощения в кремнии”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1125–1129 |
| 15. |
А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, В. А. Лукошкин, “Генерация мелкомасштабных структур рельефа поверхности кремния при пикосекундном воздействии”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 710–713 |
| 16. |
А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, М. Г. Иванов, И. А. Меркулов, “Ячеистые структуры рельефа поверхности кремния при плавлении пикосекундном импульсом”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 220–224 |
|
1984 |
| 17. |
А. А. Бугаев, А. В. Клочков, “Необратимые изменения в пленке двуокиси ванадия при пикосекундном лазерном воздействии”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3487–3489 |
| 18. |
А. А. Бугаев, В. В. Гудялис, А. В. Клочков, “Пикосекундная спектроскопия перехода полупроводник–металл в пленке двуокиси ванадия”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1463–1467 |
|
1983 |
| 19. |
А. А. Бугаев, В. В. Гудялис, А. В. Клочков, “Индуцированная оптическая анизотропия пленки двуокиси ванадия при пикосекундном возбуждении”, Физика твердого тела, 25:6 (1983), 1890–1892 |
|
1981 |
| 20. |
А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский, “Модуляция добротности резонатора при использовании фазового перехода «металл – полупроводник»”, Квантовая электроника, 8:12 (1981), 2693–2695 [A. A. Bugaev, B. P. Zakharchenya, F. A. Chudnovskiǐ, “Q switching of a resonator by the metal–semiconductor phase transition”, Sov J Quantum Electron, 11:12 (1981), 1638–1639 ] |
3
|
|
1980 |
| 21. |
А. А. Бугаев, “Регистрация объемного изображения на длине волны, отсутствующей в спектре излучения источника”, Докл. АН СССР, 255:6 (1980), 1357–1359 |
|
1979 |
| 22. |
А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский, “Окисная пленка ванадия как регистрирующая среда для голографии”, Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1459–1463 [A. A. Bugaev, B. P. Zakharchenya, F. A. Chudnovskiǐ, “Use of vanadium oxide films as a holographic recording medium”, Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 855–857] |
9
|
|
1975 |
| 23. |
А. А. Бугаев, В. И. Володькин, В. М. Овчинников, “Индуцированное двулучепреломление в плоских активных элементах”, Квантовая электроника, 2:2 (1975), 397–400 [A. A. Bugaev, V. I. Volod'kin, V. M. Ovchinnikov, “Induced birefringence in planar active elements”, Sov J Quantum Electron, 5:2 (1975), 226–227] |
|
Обратная связь: