|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1982 |
1. |
Я. Агаев, О. Газаков, “Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства p–n-структур на основе InP, AlSb, GaP”, Квантовая электроника, 9:12 (1982), 2465–2475 [Ya. Agaev, O. Gazakov, “Some electrical and photoelectric properties of p–n structures based on InP, AlSb, and GaP”, Sov J Quantum Electron, 12:12 (1982), 1609–1616 ] |
|