|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1983 |
| 1. |
О. И. Даварашвили, В. П. Зломанов, И. В. Криалашвили, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев
$\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}_{1-y}\mathrm{Te}_y$”, Докл. АН СССР, 272:6 (1983), 1371–1374  |
|
1982 |
| 2. |
Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, П. Г. Елисеев, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на
основе Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se”, Квантовая электроника, 9:11 (1982), 2140–2150 [L. P. Bychkova, O. I. Davarashvili, P. G. Eliseev, M. I. Saginuri, R. I. Chikovani, A. P. Shotov, “Analysis of factors influencing the threshold current of Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 12:11 (1982), 1391–1397  ] |
|
1981 |
| 3. |
Л. П. Бычкова, Г. Г. Гегиадзе, О. И. Даварашвили, В. П. Зломанов, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}$”, Докл. АН СССР, 259:1 (1981), 83–86 |
|
Обратная связь: